Design of a 60-GHz CMOS Driver Amplifier with 28-GHz Bandwidth using Dual-Resonant Inductor-Peaking Technique
Abstract
본 논문에서는 밀리미터파 대역에서 동작하며 광대역 특성을 제공하는 2단 드라이버 증폭기(DA, Driver Amplifier)를 제안한다. 제안하는 DA는 65-nm CMOS 공정을 기반으로 설계되었으며, 이중 공진 특성을 이용하여 대역폭을 확장하였다. 이를 위해 두 번째 증폭 단을 서로 다른 크기의 트랜지스터로 구성된 병렬 구조로 설계하였고, 각 경로의 드레인에 인덕터를 적용하여 서로 다른 기생 커패시턴스와의 공진을 통해 이중 공진 특성을 형성하였다. 또한 드레인 인덕터 간 비반전 자기 결합을 도입함으로써 칩 면적을 감소시켰다. 시뮬레이션 결과, 제안된 DA는 기존 구조 대비 약 6.6GHz 향상된 41.9GHz~70.0GHz 범위에서 총 28.1GHz의 -3dB 대역폭을 제공한다. 제안하는 DA는 0.8V 전원 전압에서 전체 29mA의 전류를 소모한다.
Fields of Study & Subjects
Radio Frequency Integrated Circuit Design
Advanced Power Amplifier Design
Analog and Mixed-Signal Circuit Design
Publication details
- Journal / source
- The Journal of Korean Institute of Information Technology
- Volume
- 24
- Issue
- 1
- Pages
- 115–121
- Publication date
- 31 January 2026
- Language
- EN