Free-Carrier Absorption in InxGa1-xAs crystals for Alloy-Disorder Scattering

Radioelectronics Nanosystems Information Technologies 2026 Open access

Read full text
Authors: Институт физики Министерства науки и образования Азербайджана, Guseyn B. Ibragimov, Raida Zabit Ibaeva, Институт физики Министерства науки и образования Азербайджана, Бехбуд Г. Ибрагимов, Институт физики Министерства науки и образования Азербайджана, Mobil V. Kazimov, Институт физики Министерства науки и образования Азербайджана, Мехман М Ширинов, Институт физики Министерства науки и образования Азербайджана
DOI: 10.17725/rensit.2026.18.135
Cited by: 0

Abstract

Продемонстрировано, что беспорядок в кристаллической решетке оказывает существенное влияние на поглощение света свободными носителями в твердых растворах InxGa1-xAs. Уменьшение γ, характеризующее механизм рассеяния носителей заряда, в твердых растворах объясняется тем, что дополнительное поглощение, вызванное разупорядочением потенциала сплава, приводит к более слабой зависимости коэффициента поглощения от длины волны. Показано, что в InxGa1-xAs при низких концентрациях электронов поглощение свободных носителей из-за потенциального беспорядка играет значительную роль. Относительный вклад этого механизма зависит от энергии поглощенного фотона и температуры.

Fields of Study & Subjects

Advanced Semiconductor Detectors and Materials Semiconductor Quantum Structures and Devices Semiconductor Lasers and Optical Devices

Publication details

Journal / source
Radioelectronics Nanosystems Information Technologies
Volume
18
Issue
1
Pages
135–142
Publication date
15 February 2026
Language
RU