МЕТОДЫ ЩАДЯЩЕЙ ОБРАБОТКИ ТВЕРДЫХ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ

Тенденцией развития микроэлектроники сегодня является постепенный переход от традиционных кремниевых технологий к материалам нового поколения – карбиду кремния (SiC) и нитриду галлия (GaN). Широкозонные полупроводники обеспечивают значительно более высокую эффективность, тепловую стойкость и рабочие частоты, что делает их незаменимыми в силовой, радиочастотной и оптоэлектронике. Однако высокая твердость и хрупкость этих материалов создает серьезные трудности при их обработке. Поэтому важной задачей совершенствования микроэлектронных технологий является поиск надежных и щадящих методов обработки таких материалов, как SiC и GaN. В статье рассмотрены основные методы обработки полупроводниковых материалов, в том числе скрайбирование, дисковая резка, резка лазерным лучом.