NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO GỐM TRONG SUỐT MgF2 BẰNG PHƯƠNG PHÁP THIÊU KẾT XUNG DÒNG ĐIỆN MỘT CHIỀU GIA NHIỆT HAI BƯỚC VỚI SỰ THAY ĐỔI CỦA NHIỆT ĐỘ

Trong nghiên cứu này, gốm trong suốt vùng hồng ngoại MgF2 được chế tạo bằng phương pháp thiêu kết xung dòng điện một chiều. Bột MgF2 được tổng hợp từ MgCl2.6H2O và NH4F thông qua phản ứng kết tủa. Quá trình thiêu kết xung dòng điện một chiều thực hiện theo hai giai đoạn, giai đoạn một thiêu kết ở các nhiệt độ thay đổi từ 510 đến 600°C với tốc độ gia nhiệt 100°C/phút và thời gian giữ nhiệt trong 10 phút, sau đó tiếp tục nâng nhiệt độ thiêu kết ở giai đoạn hai lên 770°C với tốc độ gia nhiệt 50°C/phút và thời gian giữ nhiệt trong 10 phút dưới lực ép trong suốt quá trình là 80 MPa. Sản phẩm gốm MgF2 nhận được có độ truyền quang trong vùng hồng ngoại đạt 80% với tỷ trọng tương đối khoảng 99,96% và độ cứng Vickers đạt được là 7,1 GPa. Kết quả cho thấy tiềm năng phát triển chế tạo gốm quang học MgF2 bằng phương pháp thiêu kết gia nhiệt hai bước.