Investigation of TIS effect in the E-beam overlay measurement
Abstract
随着半导体集成电路制造工艺的不断进步，图形尺寸逐渐缩小，器件结构日益复杂，这对光刻工艺中的套刻精度（overlay, OV）控制提出了更高要求。由于光学OV量测结果易受底层膜厚、薄膜特性以及OV光栅对称性等因素的影响，因此在先进制程中，电子束（E-beam）OV量测逐渐被引入作为补充手段。在光学OV量测中，机台诱发偏移（tool induced shift, TIS）是衡量光学系统对OV结果影响的关键指标，必须加以消除以确保量测结果的准确性。然而，目前针对E-beam OV量测中TIS影响的研究仍较为匮乏。本文针对E-beam OV量测，通过改变成像方式来验证TIS在E-beam OV量测中的存在，并进一步探究TIS与E-beam扫描方式之间的关系。此外，我们还对不同层的TIS进行了验证。结合实际量测结果，提出一种在E-beam OV量测中验证并消除TIS的操作方法，以提高量测结果的准确性。
Fields of Study & Subjects
Advancements in Photolithography Techniques
Advanced Measurement and Metrology Techniques
Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
Publication details
- Journal / source
- Gongneng cailiao yu qijian xuebao
- Volume
- 32
- Issue
- 1
- Pages
- 013209–1
- Publication date
- 1 January 2026
- Language
- EN