AlGaN组分渐变电子阻挡层对激光器性能提升研究
Abstract
基于InGaN/AlGaN多量子阱结构的紫外激光器，详细研究了AlGaN电子阻挡层（EBL）的组分渐变结构对激光器性能的影响。通过PICS3D软件模拟，分析了不同EBL结构下的能带结构、载流子分布及受激辐射复合率等光电特性。结果表明，优化后的EBL组分渐变结构在几乎不影响空穴势垒的情况下，提高了电子势垒，有效抑制了电子泄漏，增强辐射复合，从而提升紫外激光器的发光效率。在0.6 A注入电流下，优化后的结构的电光转换效率（ECE）达到22.37%，相较初始结构提升了48.44%。更高的电光转换效率意味着更强的光输出和更低的运行成本，为紫外激光器在光刻、医疗和杀菌等领域的应用提供了更强的竞争力。
Fields of Study & Subjects
GaN-based semiconductor devices and materials
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Semiconductor Lasers and Optical Devices
Publication details
- Journal / source
- Laser & Optoelectronics Progress
- Volume
- 63
- Issue
- 1
- Pages
- 0114001–0114001
- Publication date
- 1 January 2026
- Language
- EN