线性碲镉汞雪崩光电器件结构与应用研究进展
Abstract
随着第三代红外探测器的快速发展，碲镉汞（Hg1-xCdxTe）雪崩光电二极管（APD）器件凭借其高线性增益、极低过剩噪声因子（F≈1）、高量子效率（≥70%），以及高探测灵敏度等优越特性，在近红外至中波红外（1~5 μm）光子匮乏探测领域展现出独特的优势，该器件在保持高信噪比特性的同时，能够实现对弱光信号时空信息的精确解析，目前已成功应用于主/被动成像、天文观测、自由空间光通信及相干激光雷达等前沿领域。文中系统分析了APD的核心物理特性，从载流子倍增机理出发对比了线性模式和盖革模式工作特性差异，阐述了雪崩增益与过剩噪声的关联机制，重点介绍了美国Raytheon、法国CEA-Leti等国际领先机构以及中国科学院上海技术物理研究所、昆明物理研究所等国内单位在碲镉汞APD器件研制方面的研究进展，并详细介绍了该器件在激光雷达、空间通信等领域的应用研究进展，最后基于新一代碲镉汞探测器发展的需求对国内碲镉汞雪崩光电二极管器件发展进行了总结与展望。
Fields of Study & Subjects
Advanced Semiconductor Detectors and Materials
Advanced Optical Sensing Technologies
Advanced Measurement and Detection Methods
Publication details
- Journal / source
- Laser & Optoelectronics Progress
- Volume
- 63
- Issue
- 1
- Pages
- 0100003–0100003
- Publication date
- 1 January 2026
- Language
- EN