ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ МЕХАНИЗМОВ ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ДИОДОВ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ КОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ ПРИ ВСЕСТОРОННЕМ ГИДРОСТАТИЧЕСКОМ ДАВЛЕНИИ

Исследование посвящено теоретическому анализу механизмов тензоэлектрического эффекта в диодах Шоттки, изготовленных на основе компенсированного кремния с глубокими примесными уровнями (Si ), в условиях всестороннего гидростатического давления. На основе предоставленных экспериментальных данных построена теоретическая модель, объясняющая аномальное увеличение прямого тока в структурах типа Au-Si -Sb при сжатии, несмотря на рост высоты потенциального барьера. Модель учитывает изменение электрофизических параметров базы — концентрации и подвижности носителей, а также эффект положительной обратной связи, обусловленный уменьшением сопротивления базы и толщины запорного слоя. Показано, что основную роль в усилении тензочувствительности играет барически индуцированное увеличение концентрации электронов в результате смещения глубокого уровня никеля, а также перераспределение падения напряжения между барьером и базой. Результаты работы имеют значение для разработки высокочувствительных тензопреобразователей на основе компенсированных полупроводниковых структур.