PROYECTO APLICADO: BAGASSE-CARBON ReRAM Desarrollo de memoria resistiva no volátil (ReRAM) de Grado Electrónico basada en Carbono de Bagazo (2026–2030), APPLIED PROJECT: BAGASSE-CARBON ReRAM Development of Electronic-Grade Non-Volatile Resistive Memory (ReRAM) Based on Bagasse-Derived Carbon

Este registro presenta la versión original en español del proyecto aplicado BAGASSE-CARBON ReRAM, junto con una traducción técnica fiel al inglés, para su difusión internacional. RAM pdf-( original español) Inglés RAM-( traducción Inglés) El trabajo describe una arquitectura orientada a la ejecución para una memoria resistiva no volátil (ReRAM) de grado electrónico basada en carbono derivado del bagazo, que abarca la purificación del material, la física del dispositivo, la arquitectura de la celda, la fabricación compatible con BEOL, el control a nivel de sistema y un plan de 48 meses para un producto de memoria de almacenamiento (SCM).