ZOL-GEL METODI ORQALI GA2O3 YUPQA PLYONKALARINI O'STIRISH

Read full text
Authors: Sh.U. Yuldashev. A.A. Meyliyeva
Cited by: 0

Abstract

Keng taqiqlangan zonali (taqiqlangan zona kengligi > 2.2 eV) yarimo‘tkazgich materiallari, masalan, SiC (3.25 eV), GaN (3.4 eV), ZnO (3.37 eV) ularning yuqori optik va elektr xususiyatlari sababli yorug‘lik chiqarish, optik xotira, yuqori chastota va yuqori kuchlanishli elektron qurilmalarda keng qo‘llaniladi [1–4]. Ultra-keng taqiqlangan zonali (taqiqlangan zona kengligi > 4 eV) yarimo‘tkazgich materiallari, masalan, Ga2O3 (4.2–5.0 eV), olmos (5.5 eV), va AlN (6.2 eV) katta taqiqlangan zona kengligi bilan yuqori fizik xususiyatlarga ega. Jumladan, yuqori buzilish elektr maydoni kuchi, mukammal dielektrik doimiysiga egaligi, barqaror yuqori haroratlarda ishlashi va past energiya yo‘qotilishi [5-7].

Fields of Study & Subjects

Ga2O3 and related materials GaN-based semiconductor devices and materials Advanced ceramic materials synthesis

Publication details

Journal / source
Zenodo (CERN European Organization for Nuclear Research)
Publication date
29 January 2026