ZOL-GEL METODI ORQALI GA2O3 YUPQA PLYONKALARINI O'STIRISH
Abstract
Keng taqiqlangan zonali (taqiqlangan zona kengligi > 2.2 eV) yarimo‘tkazgich materiallari, masalan, SiC (3.25 eV), GaN (3.4 eV), ZnO (3.37 eV) ularning yuqori optik va elektr xususiyatlari sababli yorug‘lik chiqarish, optik xotira, yuqori chastota va yuqori kuchlanishli elektron qurilmalarda keng qo‘llaniladi [1–4]. Ultra-keng taqiqlangan zonali (taqiqlangan zona kengligi > 4 eV) yarimo‘tkazgich materiallari, masalan, Ga2O3 (4.2–5.0 eV), olmos (5.5 eV), va AlN (6.2 eV) katta taqiqlangan zona kengligi bilan yuqori fizik xususiyatlarga ega. Jumladan, yuqori buzilish elektr maydoni kuchi, mukammal dielektrik doimiysiga egaligi, barqaror yuqori haroratlarda ishlashi va past energiya yo‘qotilishi [5-7].
Fields of Study & Subjects
Ga2O3 and related materials
GaN-based semiconductor devices and materials
Advanced ceramic materials synthesis
Publication details
- Journal / source
- Zenodo (CERN European Organization for Nuclear Research)
- Publication date
- 29 January 2026