ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЙ И ЕМКОСТНОЙ АНАЛИЗ p–n СТРУКТУР НА ОСНОВЕ p-Si, ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ

В работе представлены результаты комплексного емкостного и электрофизического анализа p–n структур на основе кремния p-типа, легированного никелем. Исследования выполнены методами C–V, 1/C²–V, температурной зависимости изменения ёмкости ΔC(T) и аррениусовского анализа ln(ΔC)–1/T при частоте 100 кГц. Показано, что наблюдаемые аномалии ёмкости обусловлены термоактивируемыми ловушечными центрами, связанными с никелем и кислородом в приповерхностной области. Определена энергия активации дефектного уровня Ea ≈ 0.23–0.24 эВ, что соответствует акцептороподобному уровню Et − Ev в p-Si. На основании совокупности экспериментальных данных установлено, что основной вклад в электрофизические свойства структуры вносит кислород-связанный никелевый дефект (Ni–O или Ni–Si–O), локализованный в области пространственного заряда p–n перехода.