硅基器件从材料到工艺产业化完整解决方案
Abstract
本文提供一套完整的硅基器件产业化解决方案,覆盖从材料本征属性、掺杂工程、界面控制、器件构型设计(平面MOSFET、FinFET、GAAFET)、应变工程、热管理到工艺良率控制的全部环节。基于固体物理和半导体物理的基本原理,给出了关键性能参数的解析表达式,并与130nm、90nm、45nm平面MOSFET、14nmFinFET 及 3nm GAAFET 的公开实验数据进行了系统对比,平均预测误差
Fields of Study & Subjects
Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
Semiconductor materials and devices
Semiconductor materials and interfaces
Publication details
- Journal / source
- Zenodo (CERN European Organization for Nuclear Research)
- Publication date
- 5 March 2026
- Language
- ZH
- Document type
- Preprint