基于"硅基器件从材料到工艺产业化完整解决方案"之反推光刻胶产业化需求说明书
Abstract
报告基于器件物理分析,从45nm平面MOSFET、14nmFinFET到3nmGAAFET的几何与电学要求出发,系统反推出对光刻胶的关键性能指标,并与产业界公开数据完成对标。报告给出三个技术节点的光刻胶需求指标体系(核心性能、理化特性、产业化指标),识别当前国产化差距,并从树脂合成、配方设计、工艺控制、包装运输四个维度提出具体的产业化实现路径。
Fields of Study & Subjects
Advancements in Photolithography Techniques
Semiconductor materials and devices
Photopolymerization techniques and applications
Publication details
- Journal / source
- Zenodo (CERN European Organization for Nuclear Research)
- Publication date
- 5 March 2026
- Language
- ZH
- Document type
- Preprint