EUV光刻随机刻痕噪声的六层递归物理模型:基于条件方差分解的解析框架
Abstract
随着HighNAEUV光刻技术进入量产阶段,随机刻痕噪声已成为制约7nm以下节点图案保真度的核心瓶颈。本文在前期多层膜应力递归框架的基础上,建立随机刻痕噪声的六层递归物理模型。模型从光子吸收的泊松过程出发,依次追踪光电子发射、二次电子散射、酸生成与扩散、显影界面形成直至最终线边缘粗糙度(LER)的递归传递规律。针对传统方差叠加公式忽略层间协方差的缺陷,首次引入条件方差分解(LawofTotal Variance)重构递归方程,实现了层间噪声传递的严格数学描述。基于粗粒化分子模拟的最新发现——LER对光子分布变化最敏感,而材料分布和酸扩散速率亦有显著影响——本文给出了各随机源贡献的解析表达式。模型参数全部基于公开文献的具体图表标定,与西门子-imec合作验证的高斯随机场模型对比表明:本框架首次实现了LER各贡献项的物理分离和解析预测,预测的随机缺陷概率与晶圆级实验数据趋势高度吻合(相对误差
Fields of Study & Subjects
Advancements in Photolithography Techniques
Advanced optical system design
Industrial Vision Systems and Defect Detection
Publication details
- Journal / source
- Zenodo (CERN European Organization for Nuclear Research)
- Publication date
- 5 March 2026
- Language
- ZH
- Document type
- Preprint