Por-Si DA KRISTALLITLAR OʻLCHAMINI TOK TASHUVCHANLIK MEXANIZMIGA TA'SIRI.

Universal. 2026 Open access

Read full text
Authors: Babaxodjayev Umar Samsakxodjayevich, Shamsiddinova Sarvinoz Madaminjon qizi, Usmonov Muhammadjon Abduxalil o'g'li
DOI: 10.5281/zenodo.18979267
Cited by: 0

Abstract

Por-Si qatlamidagi kristallitlar chegaraviy sirtidagi potensial toʻsiq balandligini kristallit oʻlchami, legirlash konsentratsiyasi va haroratga boʻgʻlanishi sonli usulda tadqiq qilingan. Shuningdek tok tashuvchilar harakatchanligi kristallit oʻlchami, potentsial toʻsiq balandligiga bogʻliqligini hisobga olgan holda por-Si qatlam uchun volt-amper xarakteristikasini turli grafiklari olingan.

Fields of Study & Subjects

Semiconductor materials and interfaces Silicon Nanostructures and Photoluminescence Silicon and Solar Cell Technologies

Publication details

Journal / source
Universal.
Publication date
12 March 2026
Language
UZ