КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ АФН ЭФФЕКТА
Abstract
При испарении материала на подложку под углом образуется множество р-п и п-р- переходов на расстоянии различной глубины от поверхности слоя. По причине асимметричного освещения этих переходов, фотонапряжения (U
Fields of Study & Subjects
Semiconductor materials and interfaces
Silicon and Solar Cell Technologies
Electrical and Electromagnetic Research
Publication details
- Journal / source
- Latin American journal of education
- Publication date
- 13 March 2026
- Language
- RU