Thickness effect of interface potential barrier and charge tunneling probability in WS2/h-BN/MoS2 heterostructures
Abstract
二维层状材料异质结界面电荷转移是影响其器件性能的重要因素.通过在异质结界面引入绝缘层是调控电荷转移的有效方法，但关于绝缘层对电荷转移影响的研究仍缺乏理解.本文基于原子键弛豫理论和量子隧穿模型，系统研究了WS2/h-BN/MoS2异质结中间h-BN层厚对体系界面势垒高度和电荷隧穿概率的影响.结果表明，受表面效应引起的晶格周期性势场变化，WS2/h-BN/MoS2异质结界面势垒高度可以通过改变WS2、h-BN和MoS2层数调控.此外，研究发现随着h-BN层数的增大WS2/h-BN/MoS2异质结势垒高度和宽度分别减小和增大，二者竞争使得电荷隧穿概率随之减小.这些结果为设计高性能基于二维隧穿异质结光电器件的研究提供了物理基础.
Fields of Study & Subjects
2D Materials and Applications
Graphene research and applications
Organic and Molecular Conductors Research
Publication details
- Journal / source
- Acta Physica Sinica
- Volume
- 75
- Issue
- 6
- Publication date
- 1 January 2026