Electrical properties of low background concentration HgCdTe for fully depleted structure
Abstract
本文对适用于全耗尽结构的极低背景浓度碲镉汞(HgCdTe)外延材料的电学性质进行研究。采用微分霍尔等测试手段对实验材料进行表征，并结合建立的双层霍尔模型推导获得HgCdTe外延材料的真实背景浓度。研究发现，常规霍尔测试工艺下HgCdTe材料的表面状态会影响测试结果，尤其是针对极低背景浓度材料。对于组分约0.3的中波HgCdTe外延材料，采用模型表征获得的背景浓度范围为8×1012~2×1013 cm-3，满足高质量中波全耗尽结构HgCdTe器件的研制要求。同时，以获得的真实的HgCdTe材料的背景浓度为基础，对中波HgCdTe全耗尽结构器件进行2维数值模拟，获得其耗尽区宽度随偏压的变化趋势，给后续研制中波HgCdTe的全耗尽结构提供基础支持。
Fields of Study & Subjects
Advanced Semiconductor Detectors and Materials
Semiconductor materials and interfaces
Chalcogenide Semiconductor Thin Films
Publication details
- Journal / source
- Acta Physica Sinica
- Volume
- 75
- Issue
- 8
- Publication date
- 1 January 2026