Electron transport characteristics of graphene nanoribbon devices under irradiation damage
Abstract
石墨烯纳米带在纳米级半导体器件领域有巨大应用潜力，人们在制备高性能石墨烯纳米带场效应管上做了许多尝试。本文基于非平衡态格林函数方法和紧束缚模型，研究辐照环境下，高能粒子在石墨烯纳米带中产生随机空位点缺陷，对石墨烯纳米带场效应晶体管输运特性的影响。结果表明，辐照诱导的位移损伤会破坏石墨烯纳米带的平移对称性，使体系产生结构无序并进一步引发 Anderson 局域化现象；随着辐照引入的点缺陷数量增加，器件输运性能快速衰减，开关效应受到显著抑制，当结构无序程度达到局域化阈值后，后续辐照对器件性能的影响趋于平缓。此外，研究发现相同数量的点缺陷中，聚合分布形式对器件输运特性的破坏作用显著弱于随机分布形式。
Fields of Study & Subjects
Graphene research and applications
2D Materials and Applications
Quantum and electron transport phenomena
Publication details
- Journal / source
- Acta Physica Sinica
- Volume
- 75
- Issue
- 9
- Publication date
- 1 January 2026