Redundancy hardening design for single event upset tolerance in a dual interlocked storage cell flip-flop
Abstract
标准单元库是芯片设计的基础，对其进行有效的抗辐照加固设计与验证是保障宇航电子系统在轨可靠运行的关键。本文以双互锁存储单元触发器为研究对象，系统分析了其在置位冗余加固前后的单粒子翻转效应。研究发现，未加固的双互锁存储单元触发器在重离子入射时可能因置位信号受单粒子瞬脉冲干扰而引发单粒子翻转；而通过置位冗余加固后，其两路置位信号可有效避免同时受到单粒子瞬态的干扰，并利用双互锁存储单元结构的自恢复机制实现对节点电压异常的自动纠正，显著提升了抗单粒子翻转能力。本文冗余加固设计技术及单粒子仿真方法可为标准单元库的抗辐照设计及验证提供有效技术路径，有助于缩短宇航元器件研发周期，推动航空航天电子系统的发展。
Fields of Study & Subjects
Radiation Effects in Electronics
Physical Unclonable Functions (PUFs) and Hardware Security
Particle Detector Development and Performance
Publication details
- Journal / source
- Acta Physica Sinica
- Volume
- 75
- Issue
- 8
- Publication date
- 1 January 2026