Experimental study on the total dose effect of light-controlled metal oxide semiconductor solid-state relays
Abstract
传统的电磁继电器由于体积较大，难以适用于高集成度芯片，而光MOS固体继电器将光电隔离技术与MOSFET工艺结合起来，显著减小了器件的体积，因而在多个领域里获得了广泛应用。目前，国内外对该类器件的相关研究较少，特别是应用于航空、航天、军工装备等复杂辐射环境时，光MOS固体继电器的可靠性面临严峻挑战。本文通过γ总剂量辐照实验，对某型光MOS固体继电器的抗总剂量能力进行了研究。实验结果表明，在0-100k rad (Si)剂量内，器件LED端的正向特性表现出良好的抗辐照特性，反向特性对电离辐射较为敏感。在0-300k rad (Si)剂量内，器件的开启电压未发生变化，但器件MOS端的导通电阻与关态漏电流受辐射影响显著，随累积剂量增加呈明显上升趋势。
Fields of Study & Subjects
Radiation Effects in Electronics
Particle Detector Development and Performance
Radiation Effects and Dosimetry
Publication details
- Journal / source
- Acta Physica Sinica
- Volume
- 75
- Issue
- 8
- Publication date
- 1 January 2026