Application of X-ray topography in defect characterization of 4H-SiC wafer
Abstract
晶体缺陷作为制约半导体器件电学性能、成品率及可靠性的关键物理因素，其对材料宏观物性的制约已成为根本性科学问题。X射线形貌术是研究近完美晶体中长程应变场的关键技术，其理论依据是X射线在周期性畸变晶格中的动力学衍射理论。本研究以宽禁带半导体的典型代表-碳化硅（SiC）单晶为模型系统，运用X射线形貌学方法对其中存在的螺旋位错、刃型位错及基平面位错进行系统的物理表征。研究重点讨论了基于消衬准则对位错柏氏矢量进行定量判定的方法学，并分析了不同衍射几何下的衬度特征。本文揭示了X射线形貌技术作为定量探究晶体缺陷物理的科学方法的内在价值。
Fields of Study & Subjects
X-ray Diffraction in Crystallography
Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Crystallography and Radiation Phenomena
Publication details
- Journal / source
- Acta Physica Sinica
- Volume
- 75
- Issue
- 10
- Publication date
- 1 January 2026
- Language
- ZH