Solid source molecular beam epitaxy growth and physical properties of low-temperature-grown Fe-doped InGaAs films for terahertz photoconductive antennas
Abstract
针对1550 nm波段激光激励的太赫兹光电导天线对高性能光电材料的需求，我们利用固源分子束外延低温生长了InGaAs:Fe薄膜，研究了Fe掺杂浓度对材料微观结构与载流子输运性质的调控规律。高分辨X射线衍射与透射电子显微镜表征结果表明，所得InGaAs:Fe薄膜具有高晶体质量，Fe元素在InGaAs层中实现了均匀掺杂且未见明显相分离或团簇结构。霍尔效应测试进一步揭示了Fe掺杂浓度与材料电学性能之间的演变关系。结果显示，在Fe掺杂浓度为6.0× 1019 cm-3时，样品展现出最优的综合电学性能：载流子浓度可低至2.05× 1013 cm-3，电阻率可提升至381.82 Ω·cm，载流子迁移率可达到796.89 cm2/(V·s)。此外，利用飞秒瞬态泵浦-探测技术测得样品的载流子寿命仅为0.65 ps。本研究为研制高信噪比、超快响应的太赫兹光电导天线提供了材料支撑。
Fields of Study & Subjects
Terahertz technology and applications
Advanced Semiconductor Detectors and Materials
Semiconductor materials and interfaces
Publication details
- Journal / source
- Acta Physica Sinica
- Volume
- 75
- Issue
- 9
- Publication date
- 1 January 2026
- Language
- ZH